Samsung - 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

MZ-V9P1T0BW
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SSD 990 PRO 1TB M.2 NVMe
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Características
Factor de forma de disco SSD:M.2
SDD, capacidad:1000 GB
Interfaz:PCI Express 4.0
Tipo de memoria:V-NAND MLC
NVMe:
Versión NVMe:2.0
Componente para:PC
Encriptación de hardware:
Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
Velocidad de lectura:7450 MB/s
Velocidad de escritura:6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB):1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB):1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
Función DevSleep:
Soporte S.M.A.R.T.:
Soporte TRIM:
Memoria caché DDR externa:
Cantidad de memoria caché DDR externa:1024 MB
Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación:3.3 V
Consumo de energía (max):7.8 W
Consumo de energía (promedio):5.4 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Máxima temperatura:70 °C
Vibración operativa:1500 G
Peso y dimensiones
Ancho:80 mm
Profundidad:2.3 mm
Altura:22 mm
Peso:9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje:Caja
Samsung
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Ficha técnica

Interfaz
PCI Express 4.0
Factor de forma de disco SSD
M.2
SDD, capacidad
1000 GB
Tipo de memoria
V-NAND MLC